Question

场效应管是谁发明的？

Answer 1

场效晶体管（场效应晶体管)是一种用电场效应来控制电流的电子器件。场效应晶体管是一种三极管，包括源极、栅极和漏极。场效应晶体管通过向栅极施加电压来控制电流，这反过来会改变漏极和源极之间的电导率。
场效应晶体管因其只需要一种载流子起作用，故又称为单极型晶体管。即，场效应晶体管以电子或空穴中的一种作为载流子。现已有许多不同类型的场效应晶体管。场效应晶体管通常在低频时显示非常高的输入阻抗。

场效应晶体管既可以作为多数载流子器件（由多子导电），又可以作为少数载流子器件（由少子导电）。[3]该器件由电荷载流子（电子或空穴）从源极流到漏极的有源沟道组成。源极导体和漏极导体通过欧姆接触联结。沟道的电导率是栅源电压的函数。
场效应晶体管的三个电极包括:[4]
源极(S)，载流子经过源极进入沟道。通常，在源极处进入通道的电流由IS表示。
漏极(D)，载流子通过漏极离开沟道。通常，在漏极处进入通道的电流由ID表示。漏极与源极之间的电压由VDS表示。
栅极(G)，调制沟道电导率的电极。通过向栅极施加电压，可以控制ID。

所有场效应晶体管都有源极、漏极和栅极，大致对应于双极型半导体三极管的发射极、基极和集电极。大多数场效应晶体管都有第四个电极，称为主体电极、集电极、基底或衬底。该第四端子用于使晶体管偏置工作；在电路设计中异常使用主体电极是很少见的，但是当设置集成电路的物理布局时，主体电极是很重要的。栅极的大小（右图中的长度L）为源极和漏极之间的距离。其宽度为晶体管在垂直于图中横截面的方向上的延伸(即进入/离开屏幕)。通常，宽度比栅极的长度大得多。1μm栅极长将上限频率限制在大约5千兆赫，0.2μm栅极长则将上限频率限制在大约3万兆赫左右。