场效应管工作原理是什么?
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场效应管工作原理是场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电。
它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
2024-06-19 · 一家专业做射频芯片的采购平台
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栅极控制: 当在栅极端施加正电压时,栅极和源极之间产生电场,导致漏极和源极之间的N型半导体形成导电通道;当栅极的电压改变时,导电通道的电阻也会相应变化,从而控制了漏极和源极之间的电流。栅极电压的变化可以实现对MOSFET的控制。
漏极和源极间的导通: 当栅极施加正电压时,形成了漏极和源极之间的导电通道,即MOSFET处于导通状态;当栅极未施加电压或施加零电压时,漏极和源极之间没有导电通道,即MOSFET处于截止状态。
场效应管利用栅极电场调控导通通道,从而控制漏极和源极之间的电流,实现了对电流的控制。这种与传统晶体管不同的控制方式使得场效应管在电子电路设计中得到了广泛应用。
漏极和源极间的导通: 当栅极施加正电压时,形成了漏极和源极之间的导电通道,即MOSFET处于导通状态;当栅极未施加电压或施加零电压时,漏极和源极之间没有导电通道,即MOSFET处于截止状态。
场效应管利用栅极电场调控导通通道,从而控制漏极和源极之间的电流,实现了对电流的控制。这种与传统晶体管不同的控制方式使得场效应管在电子电路设计中得到了广泛应用。
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