Question

氧等离子体实验。采用RIE方式刻蚀，气体只通氧气。 刻蚀速率与哪些参数有关？腔体气压与速率的关系是？

Answer 1

Etch Rate 与 RF Power,O2 Flow, Pressure都有关，气压越高，一般是Etch Rate越高，但是刻蚀的均匀性会变差。
但不知你是用O2刻蚀什么材料，可能也有所差别，因为O Plasma属于电负性气体

追问

就是用O2稍微处理一下氟聚合物，要尽量减少损伤，15mtorr的气压应该够低了吧？

还有O2 Flow大概多少好呢？

追答

这么说你是做等离子体清洗了？这样的话，15mT应该差不多吧，流量你自己选择吧，只有能够控制住压力，应该就可以。为了减小损伤，功率不要加的太大，避免等离子体的轰击作用。
不过，具体工作的配方需要自己调节，设备硬件不同，差别很大的。