如何判别电路中晶体管的工作状态?
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一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态。
当VBE<O.5V时，晶体管处于截止状态，为使截止可靠，常使VRE≤0，此时发射结和集电结均处于反向偏置状态。
当VCE=VBE时，晶体管处于饱和状态。而当VCE<VRE时，发射结与集电结均处于正向偏置状态，此时晶体管工作在过饱和状态。
当Vc>VB>VE时，发射结处于正向偏置状态，集电结处于反向偏置状态，此时晶体管工作在放大状态。
当VBE<O.5V时，晶体管处于截止状态，为使截止可靠，常使VRE≤0，此时发射结和集电结均处于反向偏置状态。
当VCE=VBE时，晶体管处于饱和状态。而当VCE<VRE时，发射结与集电结均处于正向偏置状态，此时晶体管工作在过饱和状态。
当Vc>VB>VE时，发射结处于正向偏置状态，集电结处于反向偏置状态，此时晶体管工作在放大状态。
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广州晶晟电子
2023-08-29 广告
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这个貌似是电工电子的题目嘛。
看状态与否，关键是看发射结电压和基极电流。
1、先看电压，a,b图的基极电压均大于发射结导通需要的0.7V电压，因此三极管肯定导通（所谓导通，就是饱和或者放大），而c图，发射结所加电压是个负数，-6V，铁定截止，所以C图就不用继续分析了。
2、再看电流，计算一下UCE，如果这个值大于1V，就基本上是放大，小于1V是饱和（这个判断方法是工程实践上的判断方法，理论计算时，这个1V可以取得更小一点，即0.7V，也就是临界饱和电压，三极管的临界饱和电压可以近似理解为相当于UBE的值）。
a图，基极电流IB=(6-0.7)/50K=0.106mA，这样的话，IC=βIB=50*0.106mA=5.3mA，UCE=Vcc-IC*Rc=12-5.3*1=6.7V>1V，放大。
b图，基极电流IB=(12-0.7)/47K=0.24mA，这样的话，IC=40*0.24=9.6mA，UCE=12-9.6*1.5=-2.4V<1V（这里要是计算出负值也不要怕，说明这种情况不会出现，在这个状态达到之前，三极管早就饱和了），所以是饱和。
放大和饱和最大的区别在于，放大时，遵守IC=βIB的计算公式，而饱和时，IC<βIB
看状态与否，关键是看发射结电压和基极电流。
1、先看电压，a,b图的基极电压均大于发射结导通需要的0.7V电压，因此三极管肯定导通（所谓导通，就是饱和或者放大），而c图，发射结所加电压是个负数，-6V，铁定截止，所以C图就不用继续分析了。
2、再看电流，计算一下UCE，如果这个值大于1V，就基本上是放大，小于1V是饱和（这个判断方法是工程实践上的判断方法，理论计算时，这个1V可以取得更小一点，即0.7V，也就是临界饱和电压，三极管的临界饱和电压可以近似理解为相当于UBE的值）。
a图，基极电流IB=(6-0.7)/50K=0.106mA，这样的话，IC=βIB=50*0.106mA=5.3mA，UCE=Vcc-IC*Rc=12-5.3*1=6.7V>1V，放大。
b图，基极电流IB=(12-0.7)/47K=0.24mA，这样的话，IC=40*0.24=9.6mA，UCE=12-9.6*1.5=-2.4V<1V（这里要是计算出负值也不要怕，说明这种情况不会出现，在这个状态达到之前，三极管早就饱和了），所以是饱和。
放大和饱和最大的区别在于，放大时，遵守IC=βIB的计算公式，而饱和时，IC<βIB
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我也想知道如何判断电路中晶体管的工作状态
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