Question

mos管在饱和区时，其电子沟道已经被夹断了，为什么还有漏电流存在了？

一直不明白电子沟道是个能使漏电流通过的沟道还是这个沟道的电子也会是漏电流的一部分？书看的不是很明白，还请大神指教

Answer 1

场效应管在夹断后,还有饱和电流的原因是：
当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，当VDS增大到栅一漏电位差VGS= VLS= VGS(rh)时，漏端预夹断。这个夹断区成了漏一源间电流通路上电阻最大的区。V璐的任何一点增加都必然会集中降在这里，使预夹断区具有很强的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区域，在预夹断区左边还有N沟道，这些自由电子仍可在沟道中漂移，在到达预夹断区时，就受夹断区强电场的吸引，滑入漏区。所以，在漏端预夹断后，漏一源之间仍有漏极电流ID。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

Answer 2

一、先讲反型电子来自哪里：
1. 漏源电压为0。栅电压为正，p型衬底空穴被排斥，少子电子被吸引到表面；随着栅压增加，少子电子越来越多聚集在衬底表面，形成一层很薄的电子沟道，俗称反型。此时反型电子来自于衬底。
2. 漏源电压不为0，栅电压不变了。最容易得到电子的地方当然是源端，反型电子来自源端。
二、然后讲形成饱和电流的原理：
在夹断区出现耗尽层，横向电场大部分落在这个区，电场方向漏端指向源端，该夹断区边缘的反型电子(nmos)，由于扩散，一旦电子进入该区域就会被电场加速扯到漏端，从而形成电流。 至于为什么饱和，是因为电子迁移率不再与电场成线性增加的关系了，电子漂移速度达到饱和。
三、最后回到问题：反型电子是不是漏极电流的一部分？
答案是肯定的。你这相当于把电子分成了两种，一是最初没加漏源电压的反型电子，二是源端提供的电子。由上述分析知道，反型电子在mos工作的时候由源端提供，最初的那部分电子被电场扯走了以后，由源端来补充，这是个连续的过程。