如图，已知AB∥CD，AD∥BC，求证:∠A=∠C，∠B=∠D过程
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∵AB平行CD，AD平行BC
故四边形ABCD是平行四边形
故∠A=∠C，∠B=∠D
或者两直线平行，同旁内角互补
故∠A+∠D=∠A+∠B=180°
故∠B=∠D，同理∠A=∠C
故四边形ABCD是平行四边形
故∠A=∠C，∠B=∠D
或者两直线平行，同旁内角互补
故∠A+∠D=∠A+∠B=180°
故∠B=∠D，同理∠A=∠C
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GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必......
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本回答由GamryRaman提供
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