（2014?湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700
（2014?湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为______．（2）A...
（2014?湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为______．（2）AsH3空间构型为______．已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是______．（3）砷化镓晶体中最近的砷和镓原子核间距为a cm，砷化镓的摩尔质量为b g?mol-1，阿伏伽德罗常数值为NA，则砷化镓晶体密度的表达式______ g?cm-3．
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（1）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3
GaAs+3CH4；
故答案为：（CH3）3Ga+AsH3
GaAs+3CH4；
（2）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化；
故答案为：三角锥；sp2；
（3）AB、AC、AD、BC、BD、CD的边长相等，AF、BF的长相等为a，F位于体心上，O位于正三角形BCD的重心上，在正三角形BCD中，BE为三角形BCD的高，则CE为BC的一半，如图
，设正四面体的边长为x，CE的长为0.5x，BE=
=
x，BO与OE的长之比为2：1，则BO的长为=
x×
=
x，在三角形ABO中，AO的长=
| 700℃ |
故答案为：（CH3）3Ga+AsH3
| 700℃ |
（2）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化；
故答案为：三角锥；sp2；
（3）AB、AC、AD、BC、BD、CD的边长相等，AF、BF的长相等为a，F位于体心上，O位于正三角形BCD的重心上，在正三角形BCD中，BE为三角形BCD的高，则CE为BC的一半，如图
，设正四面体的边长为x，CE的长为0.5x，BE=| x2?(0.5x)2 |
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