一半径为R的各向同性均匀电介质球,其相对介电常量εr,球内均匀分布正电荷,总电荷为Q

一半径为R的各向同性均匀电介质球,其相对介电常量εr,球内均匀分布正电荷,总电荷为Q,求介质球内的电场能量... 一半径为R的各向同性均匀电介质球,其相对介电常量ε r,球内均匀分布正电荷,总电荷为Q,求介质球内的电场能量 展开
phyroah
2013-07-10 · TA获得超过1492个赞
知道小有建树答主
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首先,由总电量Q与半径R可得电荷体密度τ=Q/(4/3*π*R^3),进而可得任意半径r(r<=R)处电场强度(为了简洁此后所有ε均为ε r含义)E=(1/4πε)*(τ*4/3*π*r^3)/r=(1/ε)*(τ*1/3*r^2),(注意到电荷均匀分布,故球的影响可以等效成在半径r以内的电荷在r处产生的电场)故半径r处的电场能量密度为ω=1/2*ε*E^2,在球坐标下对全球体积分,如下

思路就是这个样子,你最好再算一遍,我怕我计算出错。

希望能对你有帮助。

GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必...... 点击进入详情页
本回答由GamryRaman提供
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