一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少
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推荐于2017-06-17 · 知道合伙人教育行家
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知道合伙人教育行家
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知道合伙人教育行家
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1981年东南大学无线电专业毕业,就教于扬州大学电子信息专业,1996年副教授,现退休,江苏省政府采购办专家
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一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V,硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想,不是按照某一个电压分解导通与否,而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系,差不多电流每增加10倍,电压增加0.1V:
uA量级——0.4V;
mA量级——0.7V;
A量级——1V以上。
GamryRaman
2023-06-12 广告
2023-06-12 广告
与锗相比,硅原子对电子的吸引力更大一些,使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明? 补充: "锗的ni"ni 是什么? 满意答案一粒米8级209-03-081) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅...
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本回答由GamryRaman提供
2013-07-29
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硅死区电压0.5伏,导通压降0.7锗的死区电压0.1伏,导通压降0.3伏。
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2013-07-29
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硅管死区电压0.5,锗管0.2;导通后,硅管0.7锗管0.3
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