Question

igbt是mosfet还是diodes

Answer 1

IGBT既不是MOSFET也不是diodes，而是MOSFET管与三极管BJT结合的集成功率开关器件，既然是MOSFET和BJT的集成器件，当然也会集合了两者的优势。
IGBT的门极驱动与MOSFET的一致，需要适当的驱动电流，集合了MOSFET的开关速度快的优点；而IGBT的集电极和发射极和普通的三极管BJT的发射极和集电极结构原理是一样的，稳定的导通饱和压降可以保证IGBT相对稳定的功耗和发热特性，使IGBT用在大功率电源上更有优势。