Question

帮忙翻译一下这些参考文献 谢谢 急急急！！！！！

[1] Morals A M, Lieber C M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires [J]. Science, 1998, 279:208—211
[2] Zhang Y F, Tang Y H, Wang N, et al. Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature [J]. Appl Phys Lett, 1998, 72(15): 1835—1837
[3] Tang Y H, Zhang Y F, Wang N, et al. Morphology of Si nanowires synthesized by high temperature laser ablation [J]. Appl Phys,1999, 85 (11):7981—7983
[4] Holmes J D, Johnston K P, Doty R C, et al. Control of Thickness and Orientation of olution-Grown Silicon Nanowires [J]. Science, 2000, 287: 1471—1473
[5] Yu D P, Xing Y J, Hang Q L, et al. Controlled growth of oriented amorphous silicon nanowires via a solid-liquid-solid(SLS) mechanism [J]. Physica E, 2001, 9 (12): 305—309
[6] Holmes J D,Johnston K P, Doty R C, et al. Control of Thickness and Orientation of olution-Grown Silicon Nanowires [J]. Science ,2000 ,287:1471—1473
[7] Baumer A, Stutzmann M, Brandt M S, et al. Paramagnetic defects of silicon nanowires [J]. Appl Phys Lett,2004 , 85(6): 943—945
[8] Tang Y H, Sun X H, Au F C K, et al. Microstructure and field-emission characteristics of boron-doped Si nanoparticle chains [J]. Appl Phys Lett, 2001, 79: 1075—1673
[9] Au F CK, Wong W, Tang Y H, et al. Electron field emission from silicon nanowires [J]. Appl Phys Lett, 1999, 75: 1700—1703
[10] Zhou X T, Hu J Q, Li C P, et al. silicon nanowires as chemical sensors [J]. Chem Phys Lett, 2003, 369:220—223
[11] Kong J, Franklin N R, Zhou C W, et al. Nanotube molecular wires as chemical sensors [J]. Science , 2000, 287:622—625
[12] Huang Y, Duan X F, Cui Y, et al. Logic gates and computation from assembled nanowire building blocks [J]. Science , 2001, 12(294): 1313—1316

帮忙翻译一下这些参考文献 急急急！！！11月26中午前最好弄完 谢谢 好的加分！！谢谢啊，能翻译为中文的尽量翻译为中文

Answer 1

说明：1）人名没必要翻，也无法翻，所以只能翻文献的标题和杂志名称；2）文献6和文献4重复；3）文献4和6中的olution估计是solution，漏了个S。4)中括号中的J，表示文献类型是杂志，没必要翻。
[1] Morals A M, Lieber C M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires用于晶体性半导体纳米线合成的激光烧蚀法 [J]. Science科学, 1998, 279:208—211
[2] Zhang Y F, Tang Y H, Wang N, et al. Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature 用激光烧蚀法在高温下制备的硅纳米线[J]. Appl Phys Lett, 应用物理学快报1998, 72(15): 1835—1837
[3] Tang Y H, Zhang Y F, Wang N, et al. Morphology of Si nanowires synthesized by high temperature laser ablation用高温激光烧蚀法合成的硅纳米线的形态学 [J]. Appl Phys,应用物理学1999, 85 (11):7981—7983
[4] Holmes J D, Johnston K P, Doty R C, et al. Control of Thickness and Orientation of olution-Grown Silicon Nanowires 溶液生长硅纳米线粗细度和取向的控制[J]. Science科学, 2000, 287: 1471—1473
[5] Yu D P, Xing Y J, Hang Q L, et al. Controlled growth of oriented amorphous silicon nanowires via a solid-liquid-solid(SLS) mechanism 通过固－液－固（SLS）机理的定向无定形硅纳米线的受控生长[J]. Physica E物理学报E辑, 2001, 9 (12): 305—309
[6] Holmes J D,Johnston K P, Doty R C, et al. Control of Thickness and Orientation of olution-Grown Silicon Nanowires溶液生长硅纳米线粗细度和取向的控制[J]. Science科学 ,2000 ,287:1471—1473
[7] Baumer A, Stutzmann M, Brandt M S, et al. Paramagnetic defects of silicon nanowires硅纳米线的顺磁性缺陷 [J]. Appl Phys Lett应用物理学快报,2004 , 85(6): 943—945
[8] Tang Y H, Sun X H, Au F C K, et al. Microstructure and field-emission characteristics of boron-doped Si nanoparticle chains 掺硼硅纳米粒子链的微细结构和场发射特性[J]. Appl Phys Lett应用物理学快报, 2001, 79: 1075—1673
[9] Au F CK, Wong W, Tang Y H, et al. Electron field emission from silicon nanowires由硅纳米线发出的电子场发射 [J]. Appl Phys Lett应用物理学快报, 1999, 75: 1700—1703
[10] Zhou X T, Hu J Q, Li C P, et al. silicon nanowires as chemical sensors 用作化学传感器的硅纳米线[J]. Chem Phys Lett化学物理学快报, 2003, 369:220—223
[11] Kong J, Franklin N R, Zhou C W, et al. Nanotube molecular wires as chemical sensors用作化学传感器的纳米管分子线[J]. Science 科学, 2000, 287:622—625
[12] Huang Y, Duan X F, Cui Y, et al. Logic gates and computation from assembled nanowire building blocks 来自组合的纳米线构件块的逻辑门和计算[J]. Science科学 , 2001, 12(294): 1313—1316

Answer 2

[1]道德上午，利伯ç米的激光晶体的合成半导体纳米线消融方法研究[J]。科学，1998，279:208-211

[2]张一峰，邓运华，汪嗯，等。硅纳米线激光烧蚀制备高温影响[J]。耳目一新，物理快报，1998，72（15）：1835-1837

[3]邓运华，张一峰，汪嗯，等。硅纳米线形态高温合成了激光烧蚀研究[J]。应用物理，1999，85（11）:7981 - 7983

[4]霍姆斯律政司，约翰斯顿亩P，蒂ṛç，等。控制厚度和olution取向生长的硅纳米线的研究[J]。科学，2000，287：1471-1473

[5]于差分脉冲，性杨友生，坑其林，等。面向控制生长纳米非晶硅通过固，液，固（SLS）的机理[J]。物理学的位置，2001，9（12）：305-309

[6]霍姆斯律政司，约翰斯顿亩P，蒂ṛç，等。控制厚度和olution取向生长的硅纳米线的研究[J]。科学，2000 ,287:1471 - 1473

[7]鲍默甲，Stutzmann男，勃兰特质谱等。硅纳米线顺缺陷研究[J]。耳目一新，物理快报，2004，85（6）：943-945

[8]邓运华，孙新华，欧氟碳化物亩，等。微结构和场发射特性的掺硼硅纳米粒子链的研究[J]。耳目一新，物理快报，2001，79：1075年至1673年

[9]欧F长江，黄糯，邓运华，等。从硅纳米线的电子场发射研究[J]。耳目一新，物理快报，1999，75：1700-1703

[10]周新堂，胡祺，李才P等。作为化学传感器硅纳米线研究[J]。化学物理快报，2003，369:220-223

[11]香港ĵ，富兰克林男如，周成W等人。碳纳米管的化学分子导线传感器研究[J]。科学，2000，287:622-625

[12]黄耀，段学锋，崔ý，等。逻辑门和计算的构件组装纳米线研究[J]。科学，2001，12（294）：1313-1316

Answer 3

能力有限,爱莫能助