如图所示,虚线MN左侧有一场强为E1=E的匀强电场,在两条平行的虚线MN和PQ之间存在着宽为L、电场强度为E2=

如图所示,虚线MN左侧有一场强为E1=E的匀强电场,在两条平行的虚线MN和PQ之间存在着宽为L、电场强度为E2=2E的匀强电场,在虚线PQ右侧相距为L处有一与电场E2平行... 如图所示,虚线MN左侧有一场强为E1=E的匀强电场,在两条平行的虚线MN和PQ之间存在着宽为L、电场强度为E2=2E的匀强电场,在虚线PQ右侧相距为L处有一与电场E2平行的屏.现将一电子(电荷量为e,质量为m)无初速度地放入电场E1中的A点,最后电子打在右侧的屏上,AO连线与屏垂直,垂足为O,求:(1)电子从释放到打到屏上所用的时间;(2)电子刚射出电场E2时的速度方向与AO连线夹角θ的正切值tanθ;(3)电子打到屏上的点P′到点O的距离x. 展开
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灰灰漠板
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(1)电子在电场E1中做初速度为零的匀加速直线运动,设加速度为a1,时间为t1
由牛顿第二定律得:
  a1=
E1e
m
=
Ee
m
  ①
由 x=
1
2
at2得:
L
2
=
1
2
a1t12
电子进入电场E2时的速度为:
  v1=a1t1
进入电场E2到屏水平方向做匀速直线运动,时间为:
  t2=
2L
v1
  ④
电子从释放到打到屏上所用的时间为:
  t=t1+t2
联立①→⑤求解得:t=3
mL
Ee

(2)设粒子射出电场E2时平行电场方向的速度为vy
由牛顿第二定律得:
电子进入电场E2时的加速度为:a2=
E2e
m
=
2Ee
m
  ⑥
  vy=a2t3
  t3=
L
v1
  ⑧
电子刚射出电场E2时的速度方向与AO连线夹角的正切值为;
  tanθ=
vy
v1
  ⑨
联立①②③⑥⑦⑧⑨得:tanθ=2 ⑩
(3)带电粒子在电场中的运动轨迹如图所示:

设电子打到屏上的点P到O点的距离x,
根据上图有几何关系得:
 tanθ=
x
3
2
L
 (11)
联立⑩(11)得:x=3L
答:(1)电子从释放到打到屏上所用的时间为:t=3
mL
Ee

(2)电子刚射出电场E2时的速度方向与AO连线夹角的正切值tanθ=2;
(3)电子打到屏上的点P到O点的距离为3L.
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