如图所示,矩形匀强磁场区域的长为L,宽为L2.磁感应强度为B,质量为m,电量为e的电子沿着矩形磁场的上方

如图所示,矩形匀强磁场区域的长为L,宽为L2.磁感应强度为B,质量为m,电量为e的电子沿着矩形磁场的上方边界射入磁场,欲使该电子由下方边界穿出磁场,求:(1)电子速率v的... 如图所示,矩形匀强磁场区域的长为L,宽为L2.磁感应强度为B,质量为m,电量为e的电子沿着矩形磁场的上方边界射入磁场,欲使该电子由下方边界穿出磁场,求:(1)电子速率v的取值范围?(2)电子在磁场中运动时间t的变化范围. 展开
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(1)由几何知识可知,电子要从下方边界穿出磁场,电子的最小轨道半径:r1=
L
4
,最大轨道半径为:r2
L2+(r2-
L
2
2=r22
解得:r2=
5
4
L,
电子在磁场中做匀速圆周运动,洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律得:evB=m
v2
r

解得:v=
eBr
m

v1=
eBL
4m
,v2=
5eBL
4m
,则电子的速率范围是:
eBL
4m
<v≤
5eBL
4m

(2)电子在磁场中转过的圆心角:θ1=180°,
sinθ2=
L
r2
=
L
5
4
L
=0.8,则:θ2=53°,
电子在磁场中的运动时间:t=
θ
360°
T=
θ
360°
×
2πm
eB
=
θπm
180°eB

t1=
πm
eB
,t2=
53πm
180eB
,电子的运动时间范围:
53πm
180eB
≤t≤
πm
eB

答:(1)电子速率v的取值范围是
eBL
4m
<v≤
5eBL
4m

(2)电子在磁场中运动时间t的变化范围是
53πm
180eB
≤t≤
πm
eB
上海致圭
2024-12-17 广告
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