如图(a)所示,间距为l、电阻不计的光滑导轨固定在倾角为θ的斜面上.在区域I内有方向垂直于斜面的匀强
如图(a)所示,间距为l、电阻不计的光滑导轨固定在倾角为θ的斜面上.在区域I内有方向垂直于斜面的匀强磁场,磁感应强度为B;在区域Ⅱ内有垂直于斜面向下的匀强磁场,其磁感应强...
如图(a)所示,间距为l、电阻不计的光滑导轨固定在倾角为θ的斜面上.在区域I内有方向垂直于斜面的匀强磁场,磁感应强度为B;在区域Ⅱ内有垂直于斜面向下的匀强磁场,其磁感应强度Bt的大小随时间t变化的规律如图(b)所示.t=0时刻在轨道上端的金属细棒ab从如图位置由静止开始沿导轨下滑,同时下端的另一金属细棒cd在位于区域I内的导轨上由静止释放.在ab棒运动到区域Ⅱ的下边界EF处之前,cd棒始终静止不动,两棒均与导轨接触良好.已知cd棒的质量为m、电阻为R,ab棒的质量、阻值均未知,区域Ⅱ沿斜面的长度为2l,在t=tx时刻(tx未知)ab棒恰进入区域Ⅱ,重力加速度为g.求:(1)ab棒的质量;(2)ab棒开始下滑的位置离区域Ⅱ上边界的距离;(3)求ab棒的电阻.
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(1)cd棒始终静止不动,说明ab棒进入磁场后做匀速直线运动,ab、cd组成串联回路二者电流大小相同,
故ab棒的质量与cd相等,mab=m;
(2)ab棒在到达区域II前做匀加速直线运动,a=
=gsinθ
cd棒始终静止不动,ab棒在到达区域II前、后,回路中产生的感应电动势不变,则ab棒在区域II中一定做匀速直线运动
可得;
=Blvt
=Blgsinθtx
所以tx=
;
ab棒在区域II中做匀速直线运动的速度vt=
则ab棒开始下滑的位置离EF的距离h=
atx2=l;
(3)因为tx前ab棒做a=gsinθ匀加速运动,tx后进入磁场后做匀速直线运动,两阶段的感生电动势与动生电动势以及电流等大反向且恒定;
由Blvt=I(R+Rab),
BIl=mgsinθ
可得:Rab=
?R.
答:(1)ab棒的质量m;
(2)ab棒开始下滑的位置离区域Ⅱ上边界的距离l;
(3)则ab棒的电阻
?R.
故ab棒的质量与cd相等,mab=m;
(2)ab棒在到达区域II前做匀加速直线运动,a=
F合 |
m |
cd棒始终静止不动,ab棒在到达区域II前、后,回路中产生的感应电动势不变,则ab棒在区域II中一定做匀速直线运动
可得;
△φ |
△t |
B?2l?l |
tx |
所以tx=
|
ab棒在区域II中做匀速直线运动的速度vt=
2glsinθ |
则ab棒开始下滑的位置离EF的距离h=
1 |
2 |
(3)因为tx前ab棒做a=gsinθ匀加速运动,tx后进入磁场后做匀速直线运动,两阶段的感生电动势与动生电动势以及电流等大反向且恒定;
由Blvt=I(R+Rab),
BIl=mgsinθ
可得:Rab=
B2l2
| ||
mgsinθ |
答:(1)ab棒的质量m;
(2)ab棒开始下滑的位置离区域Ⅱ上边界的距离l;
(3)则ab棒的电阻
B2l2
| ||
mgsinθ |
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